半导体指标元素检测

检测项目

1.主量元素分析：硅含量，锗含量，镓含量，砷含量，铟含量

2.掺杂元素检测：硼含量，磷含量，砷掺杂量，锑含量，铝掺杂量

3.痕量金属杂质检测：铁含量，铜含量，镍含量，铬含量，钠含量

4.重金属元素检测：铅含量，镉含量，汞含量，砷残留，铬残留

5.碱金属与碱土金属检测：钠含量，钾含量，锂含量，钙含量，镁含量

6.过渡金属污染检测：钛含量，钒含量，锰含量，钴含量，钼含量

7.稀土及微量元素分析：镧含量，铈含量，钕含量，钐含量，钇含量

8.表面元素组成检测：表面氧含量，表面碳含量，表面氮含量，表面氟残留，表面氯残留

9.薄膜层元素分析：氧化层元素组成，氮化层元素组成，金属层元素组成，介质层元素组成，复合膜元素分布

10.界面污染元素检测：界面碳污染，界面氧污染，界面金属残留，界面卤素残留，界面有害元素迁移

11.深度分布元素检测：元素纵深分布，掺杂浓度梯度，杂质扩散分布，多层膜元素变化，界面过渡层元素分布

12.颗粒与残留物元素分析：颗粒物元素组成，沉积残留元素，腐蚀残留元素，清洗残留元素，异常附着物元素

检测范围

半导体硅片、外延片、抛光片、晶圆、芯片、掩膜版、光刻胶残留物、薄膜材料、氧化膜、氮化膜、金属互连层、封装基板、引线框架、键合材料、电子特气沉积物、刻蚀残留物、清洗液残留样品、靶材、化合物半导体材料、封装成品

检测设备

1.电感耦合等离子体发射光谱仪：用于测定样品中多种元素的含量，适合主量及部分微量元素分析。

2.电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量和超痕量元素检测，具有多元素同时分析能力和较高灵敏度。

3.原子吸收光谱仪：用于特定金属元素的定量分析，适合常见金属杂质含量测定。

4.原子荧光光谱仪：用于部分特征元素的高灵敏检测，适合低含量元素分析需求。

5.射线荧光光谱仪：用于固体样品中元素组成的快速筛查，可实现较为便捷的无损分析。

6.二次离子质谱仪：用于表面及深度方向元素分布分析，适合掺杂剖面和微区元素检测。

7.光电子能谱仪：用于样品表面元素组成及化学状态分析，适合研究表面污染和界面信息。

8.辉光放电质谱仪：用于高纯材料中的痕量杂质元素分析，适合块体材料成分测定。

9.扫描电子显微镜能谱系统：用于微区形貌观察与局部元素分析，适合颗粒物和异常区域成分判定。

10.激光剥蚀元素分析系统：用于样品局部区域元素定性定量分析，适合微小区域和分层样品测试。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.